サムスンはハイエンドPCをターゲットとしており、駆動はSamsungの第二世代のV-NAND技術に基づいて、どのストレージに、最新のメモリtechnology.The SSDに基づいて、新しい1TBソリッド·ステート·ドライブとフラッシュストレージの株式を調達しているチップが垂直に積層されている。サムスンはまた、128ギガバイト、256ギガバイトと512ギガバイトの容量SSDs.The 1TBのドライブは、これまで主に512GBで下車突破しているノートPCにSSDストレージをラチェットできたと発表した。新しいSSDはデータの書き込み中に2回の耐久性があり、ストレージ·モジュールが並んで配置された従来のNANDベースのSSDよりも効率的な20パーセントより多くの電力が、サムスンは声明で述べている。 SSDの価格については、直ちにavailable.Samsungは1チップ·パッケージ内の32のNANDストレージ層を積層、元のV-NAND技術を改善していませんでした。昨年8月に発表した、V-NANDの第一世代は、24のストレージ層を積み重ね。層が独自interconnect.Chipスタッキングを介してデータを転送し、既にメモリチップとシステムオンチップデバイスに見出される。垂直構造の記憶チップを置くことは、デバイスがより小さく、より電力効率を得るようにストレージ容量を追加するための新しい方法と見られている。サムスンは今年後半には、新しいV型のNAND技術をベースに、より信頼性の高い新しいドライブを発表する予定だ、と同社は語った。
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